现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IGQ120N120S7

1200 V、120 A IGBT7 S7,采用 TO247PLUS-3 引脚封装
每件.
有存货

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IGQ120N120S7
IGQ120N120S7
每件.

商品详情

  • Eoff
    9.5 mJ
  • Eon
    12.6 mJ
  • IC (@ 100°) max
    144 A
  • IC (@ 25°) max
    216 A
  • ICpuls max
    360 A
  • Ptot max
    1004 W
  • QGate
    710 nC
  • Qrr
    13700 nC
  • td(off)
    256 ns
  • td(on)
    42 ns
  • tf
    200 ns
  • tr
    35 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • 封装
    TO-247-3-PLUS
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IGQ120N120S7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
硬开关 1200 V、120 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-247 封装,提供低 VCEsat,可在目标应用中实现非常低的传导损耗。

特性

  • 极低的 VCEsat
  • 良好的可控性
  • 全额定续流二极管
  • 具有改进的柔软度的二极管
  • 耐受恶劣条件
  • 耐受 HV-H3TRB
  • 8 us 短路时间
  • 非常紧密的参数分布
  • 最大工作 Tj 为 175 °C

图表

Diagram_IGQ
Diagram_IGQ
Diagram_IGQ Diagram_IGQ Diagram_IGQ

文档

设计资源

开发者社区

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