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IGW100N60H3
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IGW100N60H3

停产
600 V、100 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装
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IGW100N60H3
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商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.9 mJ
  • Eon
    3.7 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    120 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    140 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 IF
    100 A
  • 最高 IFpuls
    300 A
  • 最高 Ptot
    714 W
  • QGate
    625 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    3.5 Ω
  • td(off)
    265 ns
  • td(on)
    30 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    47 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3

OPN
IGW100N60H3FKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,MY
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采用 TO247 封装的高速 600 V、100 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 行为
  • 快速开关行为
  • 低 EMI 辐射
  • 优化二极管：
  • 改善开关损耗
  • 低栅极电阻选择。
  • 出色的开关行为 (@>5 Ω)
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 包装有免费和无免费两种。二极管
文档

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