在产
符合RoHS标准
无铅

IGW30N60H3

600 V、30 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGW30N60H3
IGW30N60H3
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.6 mJ
  • Eon
    0.94 mJ
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • ICpuls max
    120 A
  • Ptot max
    187 W
  • QGate
    165 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    239 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    30 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE max
    600 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    20 kHz to 100 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IGW30N60H3FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO247 封装的高速 600 V、30 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 出色的 Vce(sat) 特性
  • 快速开关特性，低 EMI
  • 针对目标应用优化的二极管。
  • 低栅极电阻可选
  • 出色的开关行为
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 带和不带免费包装。二极管

产品优势

  • 低开关和传导损耗
  • 极佳的 EMI 行为
  • 一流的 600 V IGBT 效率
  • 高电流密度

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }