IGW75N65H5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGW75N65H5

数据手册
封装

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IGW75N65H5
IGW75N65H5
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.95 mJ
  • Eon
    2.25 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    75 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    120 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 Ptot
    395 W
  • QGate
    160 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8 Ω
  • td(off)
    174 ns
  • td(on)
    28 ns
  • tf
    41 ns
  • tr
    33 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

推荐的
OPN
IGW75N65H5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。 新系列是 IGBT 创新的重大突破，可满足未来市场对高效率的需求。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比
  • Qg
  • 降低 2.5 倍
  • 开关损耗降低 2 倍
  • V CE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数VCEsat
  • Vf
  • 的温度稳定性
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