IKB20N60H3
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IKB20N60H3

采用 TO263 封装的 600 V IGBT，带反并联二极管
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IKB20N60H3
IKB20N60H3
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.24 mJ
  • Eon
    0.45 mJ
  • 最高 IC (@ 25° )
    40 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    20 A
  • 最高 ICpuls
    80 A
  • 最高 IF
    20 A
  • 最高 IFpuls
    80 A
  • Irrm
    14.2 A
  • 最高 Ptot
    170 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    390 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    14.6 Ω
  • td(off)
    194 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    11 ns
  • tr
    20 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3

OPN
IKB20N60H3ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE,MY

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE,MY
高速 600 V、20 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT3 与续流二极管一起封装在 TO263 D2PAK 封装中，在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 特性
  • 快速开关特性，低 EMI
  • 针对目标应用优化的二极管。
  • 低栅极电阻可选
  • 出色的开关行为
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 带和不带免费包装。二极管

产品优势

  • 低开关和传导损耗
  • 极佳的 EMI 行为
  • 一流的 600 V IGBT 效率
  • 高电流密度
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区