IKB20N60H3
在产
符合RoHS标准

IKB20N60H3

采用 TO263 封装的 600 V IGBT，带反并联二极管
数据手册
封装

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IKB20N60H3
IKB20N60H3
数据手册
  • Eoff (Hard Switching)
    0.24 mJ
  • Eon
    0.45 mJ
  • 最高 IC (@ 25° )
    40 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    20 A
  • 最高 ICpuls
    80 A
  • 最高 IF
    20 A
  • 最高 IFpuls
    80 A
  • Irrm
    14.2 A
  • 最高 Ptot
    170 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    390 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    14.6 Ω
  • td(off)
    194 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    11 ns
  • tr
    20 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IKB20N60H3ATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 600 V、20 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT3 与续流二极管一起封装在 TO263 D2PAK 封装中，在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 特性
  • 快速开关特性，低 EMI
  • 针对目标应用优化的二极管。
  • 低栅极电阻可选
  • 出色的开关行为
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 带和不带免费包装。二极管

产品优势

  • 低开关和传导损耗
  • 极佳的 EMI 行为
  • 一流的 600 V IGBT 效率
  • 高电流密度
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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