现货，推荐
符合RoHS标准

IKB20N65EH5

650 V、20 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO263 封装
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IKB20N65EH5
IKB20N65EH5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.13 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • IC (@ 100°) max
    25 A
  • IC (@ 25°) max
    38 A
  • ICpuls max
    80 A
  • IF max
    27 A
  • IFpuls max
    60 A
  • Irrm
    8.5 A
  • Ptot max
    125 W
  • QGate
    48 nC
  • Qrr
    360 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    32 Ω
  • td(off)
    160 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    21 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • Package
    PG-TO263-3
  • Switching Frequency
    30 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
受到推崇的
OPN
IKB20N65EH5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 D2Pak (TO263) 封装的硬开关 650 V、20 A TRENCHSTOP ™ 5 高速 IGBT 与全额定电流 Rapid 1 反并联二极管共同封装，通过为硬开关应用提供无与伦比的效率性能，重新定义了“同类最佳” IGBT。该系列是 IGBT 创新的重大突破，可满足未来市场对高效率的需求。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
    • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和阳性。温度。 系数。VCE(sat)
  • Vf
    • 的温度稳定性

文档

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