IKB30N65EH5
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IKB30N65EH5

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装

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IKB30N65EH5
IKB30N65EH5
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.3 mJ
  • Eon
    0.87 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    55 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    35 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 IF
    39.5 A
  • 最高 IFpuls
    90 A
  • Irrm
    12 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    500 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    22 Ω
  • td(off)
    159 ns
  • td(on)
    24 ns
  • tf
    25 ns
  • tr
    28 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKB30N65EH5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
采用 D2Pak (TO263) 封装的硬开关 650 V、30 A TRENCHSTOP ™ 5 高速 IGBT 与全额定电流 Rapid 1 反并联二极管共同封装，通过为硬开关应用提供无与伦比的效率性能，重新定义了“同类最佳” IGBT。该系列是 IGBT 创新的重大突破，可满足未来市场对高效率的需求。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和阳性。温度。 系数。VCE(sat)
  • Vf
  • 的温度稳定性
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