IKFW40N65ES5
在产
符合RoHS标准
无铅

IKFW40N65ES5

采用 TO-247 高级隔离封装的 650 V、40 A IGBT
数据手册
封装

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IKFW40N65ES5
IKFW40N65ES5
数据手册
  • Eoff (Hard Switching)
    0.32 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • 最高 IC (@25°)
    52 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 IF
    43 A
  • 最高 IFpuls
    120 A
  • Irrm
    18 A
  • 最高 Ptot
    106 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    0.51 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    13 Ω
  • td(off)
    105 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    16 ns
  • tr
    29 ns
  • VCE(sat)
    1.8 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.5 V
  • 封装
    PG-HSIP247-3-1
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 10 - 30 kHz
  • 开关频率 范围
    10 kHz 至 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IKFW40N65ES5XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO247 高级隔离封装的硬开关 650 V、40 A TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT 分立器件。该 IGBT 技术适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用。 该封装无需隔离材料，并且由于从 IGBT 芯片到散热器的有效且可靠的热路径，实现了高功率密度、最佳热性能和最低的冷却工作量。

特性

  • 25°C 时 VCEsat 极低，仅为 1.35 V
  • 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)
  • 软电流下降特性
  • 对称、低电压过冲
  • 栅极电压受控
  • 无意外导通风险
  • 无需栅极钳位
  • 2500 VRMS 电气隔离
  • 100% 测试隔离。安装表面
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合 JEDEC 47/20/22 标准
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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