现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKFW60N65ES5

采用 TO-247 高级隔离封装的 650 V、60 A IGBT
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKFW60N65ES5
IKFW60N65ES5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.23 mJ
  • Eon
    0.55 mJ
  • IC (@ 25°) max
    85 A
  • ICpuls max
    200 A
  • IF max
    58 A
  • IFpuls max
    200 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot max
    138 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    1.21 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8.2 Ω
  • td(off)
    127 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    34 ns
  • tr
    27 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • Package
    PG-HSIP247-3-1
  • Switching Frequency
    10 kHz to 30 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ Advanced Isolation
受到推崇的
OPN
IKFW60N65ES5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO247 高级隔离封装的硬开关 650 V、60 A TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT 分立器件。该 IGBT 技术适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用。 该封装无需隔离材料，并且由于从 IGBT 芯片到散热器的有效且可靠的热路径，实现了高功率密度、最佳热性能和最低的冷却工作量。

特性

  • 25°C 时 VCEsat 极低，仅为 1.35 V
  • 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)
  • 软电流下降特性
  • 对称、低电压过冲
  • 栅极电压受控
  • 无意外导通风险
  • 无需栅极钳位
  • 2500 VRMS 电气隔离
  • 100% 测试隔离。安装表面
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合 JEDEC 47/20/22 标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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