IKQ75N120CH3
在产
符合RoHS标准
无铅

IKQ75N120CH3

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 1200 V、75 A IGBT

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IKQ75N120CH3
IKQ75N120CH3
  • Eoff (Hard Switching)
    2.8 mJ
  • Eon
    6.4 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    75 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    150 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 IF
    75 A
  • 最高 IFpuls
    300 A
  • Irrm
    25 A
  • 最高 Ptot
    938 W
  • QGate
    370 nC
  • Qrr
    5100 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    6 Ω
  • td(off)
    282 ns
  • td(on)
    34 ns
  • tf
    29 ns
  • tr
    47 ns
  • tSC
    10 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • VF
    1.9 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    18-60 kHz
  • 开关频率 范围
    18 kHz 至 60 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IKQ75N120CH3XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247 封装的硬开关 1200 V、75 A 高速 IGBT3,与软快速恢复全电流反并联发射极控制二极管共同封装。

特性

  • 75 A、1200 V IGBT
  • 与 75 A 二极管共同封装
  • TO-247 封装
  • 更低 Rth(jh)
  • 外部。集电极-发射极引脚爬电距离
  • 延长夹片爬电距离
  • 完全封装的正面
文档

设计资源

开发者社区

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