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符合RoHS标准
无铅

IKQ75N120CH3

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 1200 V、75 A IGBT
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IKQ75N120CH3
IKQ75N120CH3
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    2.8 mJ
  • Eon
    6.4 mJ
  • IC (@ 100°) max
    75 A
  • IC (@ 25° ) max
    150 A
  • ICpuls max
    300 A
  • IF max
    75 A
  • IFpuls max
    300 A
  • Irrm
    25 A
  • Ptot max
    938 W
  • QGate
    370 nC
  • Qrr
    5100 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    6 Ω
  • td(off)
    282 ns
  • td(on)
    34 ns
  • tf
    29 ns
  • tr
    47 ns
  • tSC
    10 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    1.9 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    18 kHz to 60 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IKQ75N120CH3XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 PLUS
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 PLUS
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-247 封装的硬开关 1200 V、75 A 高速 IGBT3，与软快速恢复全电流反并联发射极控制二极管共同封装。

特性

  • 75 A、1200 V IGBT
  • 与 75 A 二极管共同封装
  • TO-247 封装
  • 更低 Rth(jh)
  • 外部。集电极-发射极引脚爬电距离
  • 延长夹片爬电距离
  • 完全封装的正面

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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