IKW50N65H5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKW50N65H5

采用 TO-247 封装、带反并联二极管的 650 V IGBT
数据手册
封装

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IKW50N65H5
IKW50N65H5
数据手册
  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    0.52 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    56 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    80 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 IF
    40 A
  • 最高 IFpuls
    150 A
  • Irrm
    16.7 A
  • 最高 Ptot
    305 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    570 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    15 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IKW50N65H5FKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 650 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为“同类最佳” IGBT。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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