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符合RoHS标准
无铅

IKW60N60H3

数据手册
封装

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IKW60N60H3
IKW60N60H3
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.13 mJ
  • Eon
    2.1 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    60 A
  • ICpuls max
    180 A
  • IF max
    80 A
  • IFpuls max
    90 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot max
    416 W
  • QGate
    375 nC
  • Qrr
    1200 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    6 Ω
  • td(off)
    291 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    39 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    20 kHz to 100 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IKW60N60H3FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 600 V、60 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT3 与续流二极管一起采用 TO247 封装，在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 行为
  • 快速开关行为
  • 低 EMI 辐射
  • 优化二极管：
  • 改善开关损耗
  • 低栅极电阻选择。
  • 出色的开关行为 (@>5 Ω)
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 包装有免费和无免费两种。二极管

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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