IKZA50N65EH7
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKZA50N65EH7

650 V、50 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO247-4 封装
数据手册
封装

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IKZA50N65EH7
IKZA50N65EH7
数据手册
  • Eoff
    0.97 mJ
  • Eon
    0.79 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    76 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 ICpuls
    200 A
  • 最高 IF
    80 A
  • 最高 IFpuls
    200 A
  • Irrm
    75.9 A
  • 最高 Ptot
    250 W
  • QGate
    103 nC
  • Qrr
    3400 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    175 ns
  • td(on)
    14 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • VGE(th)
    3.85 V
  • 封装
    TO-247-4
  • 开关频率 范围
    16 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推荐的
OPN
IKZA50N65EH7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO247-4 封装技术的硬开关 650 V、50 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 H7 分立器件已经开发出来，以满足绿色高效能源应用的需求，同时还比其前几代产品有了显着的改进。

特性

  • 得益于我们著名的 TRENCHSTOP ™技术，VCE(sat) 性能出色
  • 非常柔软、快速恢复的反并联二极管
  • Tj(max) 高达 175°C
  • 针对硬开关、两级和三级拓扑进行了优化

产品优势

  • 高功率密度技术，额定电流高达 150 A
  • 优化应用条件下的性能
  • 最低传导损耗
  • 最低开关损耗
  • 恶劣环境下的湿度稳定性
  • 改进的 EMI 性能
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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