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符合RoHS标准
无铅

IMBG120R060M1H

CoolSiC ™ 1200 V SiC 沟槽MOSFET，采用TO-263-7封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMBG120R060M1H
IMBG120R060M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1145 pF
  • Coss
    53 pF
  • ID (@25°C) max
    36 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    181 W
  • Qgd
    7.3 nC
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.83 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    TO-263-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    7 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMBG120R060M1HXTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ 1200 V、60 mΩ SiC MOSFET 采用 D2PAK-7L（TO-263-7）封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能与运行可靠性。CoolSiC 技术的低功耗特性与全新 1200 V 优化 SMD 封装中的 .XT 互连技术相结合，可在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现最高效率和被动冷却潜力。

特性

  • 极低的开关损耗
  • 短路耐受时间：3 µs
  • 完全可控的 dV/dt
  • 基准栅极阈值电压
  • VGS(th) = 4.5 V
  • 具有抗寄生导通能力
  • 可在 0V 栅极关断电压下使用
  • 用于硬换向的坚固二极管
  • .XT 互连技术
  • 封装爬电距离 > 6.1 mm
  • 电气间隙 > 6.1 mm
  • 用于优化开关的感测引脚

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }