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符合RoHS标准
无铅

IMBG40R015M2H

CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封装,15 mΩ
每件.
有存货

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IMBG40R015M2H
IMBG40R015M2H
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    111 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    15 mΩ
  • RthJC max
    0.44 K/W
  • VDS max
    400 V
  • Package
    PG-TO263-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
OPN
IMBG40R015M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • 与 650 V SiC MOSFET 相比,FOM 更佳
  • 具有低 Qfr
  • 的快速换向稳健二极管
  • 低 RDS(on) 温度依赖性
  • 栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V
  • 支持单极驱动 (VGSoff=0)
  • 100% 雪崩测试
  • 开关速度可控性高
  • 高 dV/dt 操作期间过冲较低
  • .XT互连技术
  • 一流的热性能

产品优势

  • 系统效率高
  • 高功率密度设计
  • 高设计稳健性
  • 降低 EMI 滤波
  • 用于硬开关拓扑

文档

设计资源

开发者社区

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