IMBG40R015M2H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMBG40R015M2H

CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 D2PAK-7（TO-263-7）封装，15 mΩ
数据手册
封装
评估板

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IMBG40R015M2H
IMBG40R015M2H
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    111 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    15 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.44 K/W
  • 最高 VDS
    400 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    PG-TO263-7, D2PAK 7-pin
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMBG40R015M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳
  • 具有低 Qfr
  • 的快速换向稳健二极管
  • 低 RDS(on) 温度依赖性
  • 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
  • 支持单极驱动 (VGSoff=0)
  • 100% 雪崩测试
  • 开关速度可控性高
  • 高 dV/dt 操作期间过冲较低
  • .XT互连技术
  • 一流的热性能

产品优势

  • 系统效率高
  • 高功率密度设计
  • 高设计稳健性
  • 降低 EMI 滤波
  • 用于硬开关拓扑
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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