现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMBG40R015M2H

CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 D2PAK-7（TO-263-7）封装，15 mΩ
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMBG40R015M2H
IMBG40R015M2H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    111 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    15 mΩ
  • RthJC max
    0.44 K/W
  • VDS max
    400 V
  • Package
    PG-TO263-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMBG40R015M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳
  • 具有低 Qfr
    • 的快速换向稳健二极管
  • 低 RDS(on) 温度依赖性
  • 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
  • 支持单极驱动 (VGSoff=0)
  • 100% 雪崩测试
  • 开关速度可控性高
  • 高 dV/dt 操作期间过冲较低
  • .XT互连技术
  • 一流的热性能

产品优势

  • 系统效率高
  • 高功率密度设计
  • 高设计稳健性
  • 降低 EMI 滤波
  • 用于硬开关拓扑

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }