IMBG65R075M2H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMBG65R075M2H

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 TO-263-7 封装，75 mΩ
数据手册
封装
评估板

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IMBG65R075M2H
IMBG65R075M2H
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    28 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    95 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    75 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    D2PAK 7-pin
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMBG65R075M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2 是利用高性能技术的流行选择，例如 CoolSiC ™ G2。它克服了传统封装在热循环方面的限制，并采用.XT互连来降低热阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，但产品仍保持较小的占用空间，这是功率密度的下一个合理步骤。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 同类最佳的 RDS(on)
  • 出色的稳健性
  • 灵活的驱动电压范围
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • Tj，max=175°C
  • 开尔文引脚

产品优势

  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性和更长的使用寿命
  • 实现最高效率和功率密度
  • 占用空间小，功率密度更高
  • 最紧凑的子卡设计
  • 充分利用小尺寸 SiC
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