现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMSQ120R012M2HH

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V，采用顶部冷却 Q-DPAK 双半桥封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMSQ120R012M2HH
IMSQ120R012M2HH
每件.
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商品详情

  • Ciss
    4050 pF
  • Coss
    176 pF
  • ID (@25°C) max
    129 A
  • Ptot max
    758 W
  • Qgd
    34 nC
  • QG
    124 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    12 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.31 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PG-HDSOP-16
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    4 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMSQ120R012M2HHXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 N/A
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 -
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、12 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 双半桥封装，专为广泛用于工业应用而设计，包括工业驱动、电动汽车充电解决方案、太阳能系统和不间断电源。 Q-DPAK 具有更简单的组装方式和出色的热性能，从而帮助客户降低系统成本。与底部冷却解决方案相比，顶部冷却设备可以实现更优化的 PCB 布局，从而减少寄生元件和杂散电感的影响，同时还提供增强的热管理能力。
顶部冷却的 Q-DPAK 双半桥封装开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

特性

  • Tvj = 25°C 时 VDSS = 1200 V
  • IDDC = 89 A @ TC = 100°C
  • RDS(on) = 12 mΩ，VGS = 18 V，Tvj = 25°C
  • 极低的开关损耗
  • 过载运行最高可达 Tvj = 200°C 
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压 4.2 V
  • 具有抗寄生开启能力
  • 坚固的体二极管，适用于硬换向
  • .XT互联技术

产品优势

  • 更高的功率密度
  • 实现自动化组装
  • 所需设计不太复杂
  • 与 BSC 相比，热性能更出色
  • 改善系统功率损耗
  • 使用 PD 2 实现 950 V 的 VRMS
  • 降低 TCO 成本或 BOM 成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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