IMYH200R012M1H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMYH200R012M1H

CoolSiC ™ 2000 V SiC 沟槽 MOSFET，采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装
数据手册
封装
评估板

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IMYH200R012M1H
IMYH200R012M1H
数据手册

商品详情

  • Ciss
    9700 pF
  • Coss
    322 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    123 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    552 W
  • Qgd
    44 nC
  • QG
    246 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    12 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.16 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    2000 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    PG-TO247-4-PLUS-NT14
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMYH200R012M1HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装的 CoolSiC ™ 2000 V 12 mΩ SiC MOSFET 旨在提供更高的功率密度，即使在苛刻的高电压和开关频率条件下也不会影响系统的可靠性。CoolSiC ™技术的低功耗得益于 2000 V 优化封装中的 .XT 互连技术，从而提高了可靠性，可在串式逆变器、太阳能优化器、电动汽车充电和储能系统等应用中实现最高效率。

特性

  • VDSS = 2000 V，适用于高直流母线
  • 高达 1500 VDC
  • 极低的开关损耗
  • 基准栅极阈值电压
  • VGS(th) = 4.5 V
  • 用于硬换向的坚固二极管
  • .XT 互连技术
  • 提高了湿度耐受性
  • 创新的 HCC 封装，具有
  • 14 mm 爬电距离
  • 5.5 mm 电气间隙

图表

CoolSiCMOSFET_4-pin
CoolSiCMOSFET_4-pin
CoolSiCMOSFET_4-pin CoolSiCMOSFET_4-pin CoolSiCMOSFET_4-pin
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