请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IPAW60R180P7S

停产
优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性
数据手册
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPAW60R180P7S
IPAW60R180P7S
视图替换
数据手册

商品详情

  • ID max
    18 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • IDpuls max
    53 A
  • Ptot max
    26 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG
    25 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) max
    180 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    180 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    4.85 K/W
  • Rth
    4.85 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220 FullPAK wide creepage
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.61
OPN
IPAW60R180P7SXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK wide creepage
包装尺寸 450
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK wide creepage
包装尺寸 450
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600V CoolMOS ™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中不断平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ™第 7 代平台一流的 R onxA 和固有的低栅极电荷 (Q G) 确保了其高效率。

特性

  • 600V P7 可实现出色的 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
  • ESD 耐受性 ≥ 2kV (HBM 2 类)
  • 集成栅极电阻 R G
  • 坚固的体二极管
  • 提供多种通孔和表面贴装封装
  • 提供标准级和工业级零件

产品优势

  • 出色的 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss 可实现更高的效率
  • 易于使用
  • 通过阻止 ESD 故障的发生，在制造环境中易于使用
  • 集成的 R G 可降低 MOSFET 振荡灵敏度
  • MOSFET 适用于硬开关和谐振开关拓扑，例如 PFC 和 LLC
  • 在 LLC 拓扑中体二极管的硬换流期间具有出色的耐用性
  • 适用于各种终端应用和输出功率
  • 提供适用于消费和工业应用的零件

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }