IPB035N10NF2S
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB035N10NF2S

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 D²PAK 封装
数据手册
封装

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IPB035N10NF2S
IPB035N10NF2S
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    151 A
  • QG (typ @10V)
    69 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.5 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
IPB035N10NF2SATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 N/A
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 -
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 3.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。 此外，与 IPB042N10N3 G 相比，它旨在成为具有更好性价比的产品。

特性

  • 广泛分布
  • 卓越的性价比
  • 适合高和低开关频率
  • 行业标准通孔封装
  • 高额定电流
  • 可进行波峰焊

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 合适的产品
  • 支持多种应用程序
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 提高载流能力
  • 易于制造
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