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符合RoHS标准

IPB068N20NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平，采用 D²PAK 3 引脚封装
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封装
每件.
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IPB068N20NM6
IPB068N20NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    134 A
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.8 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    3.25
受到推崇的
OPN
IPB068N20NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IPB068N20NM6 OptiMOS ™ 6 200 V 正在制定新的技术标准。它满足了高功率密度、高效率和高可靠性的需求。 OptiMOS ™ 6 200 V 技术旨在实现 LEV、叉车和无人机等电机驱动应用的最佳性能。由于业界领先的 RDS(on)、改进的开关行为和改进的电流共享，新的 OptiMOS ™ 6 可实现更高的功率密度、更少的并联和更好的 EMI 行为。 改进的开关行为使其成为电信、服务器、太阳能或音频等任何类型的开关应用的理想选择。此外，宽 SOA 与业界领先的 RDS(on) 相结合，使其完美适合 BMS 等静态开关应用。

特性

  • 与 OptiMOS ™ 3 200 V 相比，新技术可实现：
  • R DS(on) 降低 42 %
  • 出色的 EMI 和开关行为，原因在于：li>
  • Q RR(typ) 降低
  • 45% Q OSS(typ)
  • 降低 42% 二极管软化 3 倍以上 改善电容线性度
  • 紧密的 V GS(th) 和低跨导，易于并联
  • 改善 SOA 以增强稳健性

产品优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 运行稳定，EMI 得到改善
  • 并联需求减少
  • 并联时电流共享效果更佳
  • 符合 RoHS 标准，无铅
  • 根据 J-STD-020 分类为 MSL 1

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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