IPB45P03P4L-11

-30V、P 沟道、最大 10.8mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2
数据手册

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IPB45P03P4L-11
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -45 A
  • IDpuls max
    -180 A
  • Ptot max
    58 W
  • QG (typ @10V) max
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    10.8 mΩ
  • RthJC max
    2.6 K/W
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th) min
    -1 V
  • VGS(th) max
    -2 V
  • 封装
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-P2
  • 极性
    P
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.77
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • P沟道逻辑电平增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 用于电池反向保护
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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