IPB60R120C7

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CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑中提供一流的性能
数据手册

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商品详情

  • 最高 ID
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • 最高 IDpuls
    66 A
  • 最高 Ptot
    92 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG
    34 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    120 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    120 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.357 K/W
  • Rth
    1.357 K/W
  • Special Features
    highest performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌的 600 V 和 650 V CoolMOS ™ C7 超结 (SJ) MOSFET 系列旨在实现创纪录的效率性能，并降低硬开关应用中整个负载范围内的损耗。

特性

  • 降低开关损耗参数，例如 Q G、C oss、E oss
  • 同类最佳的品质因数 Q G*R DS(on)
  • 提高开关频率
  • 全球最佳的 R (on)*A
  • 坚固耐用的体二极管

产品优势

  • 可在不损失效率的情况下提高开关频率
  • 测量显示轻载和满载效率的关键参数
  • 开关频率加倍将使磁性元件尺寸减半 相同
  • R DS(on)
  • 可用于更多位置，适用于硬开关和软开关拓扑

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区