IPB95R130PFD7
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB95R130PFD7

采用 TO-220-3 封装的 950 V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET
数据手册
封装

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IPB95R130PFD7
IPB95R130PFD7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID
    36.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    36.5 A
  • 最高 IDpuls
    150 A
  • 最高 Ptot
    227 W
  • QG (typ @10V)
    141 nC
  • QG
    141 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    130 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    130 mΩ
  • Special Features
    Fast recovery diode
  • 最高 VDS
    950 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.49

推荐的
OPN
IPB95R130PFD7ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX,MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX,MY
晶圆产地
DE
PFD7，专为实现超高功率密度和最高效率设计。这些产品主要用于 PFC 和 LLC/LCC 拓扑结构的消费类和工业用开关电源应用。与 CoolMOS™ C3 相比，950 V CoolMOS™ PFD7 的 Qg 降低了 60%（从而降低了驱动损耗、提高了轻载和满载效率），还配备一个快速且坚固的体二极管。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • MOSFET 适合硬拓扑和谐振拓扑
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区