现货，推荐
符合RoHS标准

IPD042P03L3 G

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-30 V，D-PAK
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPD042P03L3 G
IPD042P03L3 G
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    9290 pF
  • Coss
    3570 pF
  • ID (@25°C) max
    -70 A
  • IDpuls max
    -280 A
  • Ptot max
    150 W
  • QG (typ @10V)
    131 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.2 mΩ
  • Rth
    1 K/W
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -2 V to -1 V
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 max
    175 °C
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.62
推荐的
OPN
IPD042P03L3GATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

    • 文档

    文档

    设计资源

    合作伙伴解决方案

    开发者社区

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