IPD25DP06NM
现货，推荐
符合RoHS标准

IPD25DP06NM

常规和逻辑电平的 P 通道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装

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IPD25DP06NM
IPD25DP06NM
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    -6.5 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    -6.5 A
  • 最高 IDpuls
    -26 A
  • 最高 Ptot
    28 W
  • QG (typ @10V)
    -10.6 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    250 mΩ
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.23
推荐的
OPN
IPD25DP06NMATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60 V 采用 DPAK 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，降低中低功率应用的设计复杂性。具有与 MCU 的简单接口、快速切换以及雪崩强度高的特点，适用于高质量要求的应用。它具有宽 RDS(on) 范围的逻辑电平，并可提高低负载下的效率。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 正常和逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松连接 MCU
  • 低负载、低 Qg 时效率提升
  • 快速开关
  • 雪崩耐受性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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