IPD50R2K0CE
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPD50R2K0CE

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IPD50R2K0CE
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商品详情

  • 最高 ID
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    2.2 A
  • 最高 IDpuls
    6.3 A
  • 最高 Ptot
    19 W
  • QG
    6 nC
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • 最高 RDS (on)
    2000 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2000 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    6.66 K/W
  • Rth
    6.66 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • 最高 VDS
    500 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N

OPN
IPD50R2K0CEAUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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500V CoolMOS ™ CE 是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场中成本敏感的应用，同时仍能满足最高的效率标准。新系列具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本性能比。

特性

  • 降低输出电容中存储的能量 (E oss)
  • 高体二极管耐用性
  • 降低反向恢复电荷 (Q rr )
  • 减少栅极电荷 (Q g )

产品优势

  • 轻松控制开关行为
  • 与前几代 CoolMOS ™相比，轻载效率更高
  • 与标准 MOSFET 相比，成本更具吸引力
  • CoolMOS ™技术具有卓越的品质和可靠性
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