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IPD65R1K4CFD

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IPD65R1K4CFD
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数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    2.8 A
  • ID max
    2.8 A
  • IDpuls max
    8.2 A
  • Ptot max
    28.4 W
  • QG
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • RDS (on) max
    1400 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1400 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    4.4 K/W
  • Rth
    4.4 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    3.5 V to 4.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK, DPAK
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    fast recovery diode, fast recovery diode
OPN
IPD65R1K4CFDATMA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650V CoolMOS ™ CFD2 的替代品是 600V CoolMOS ™ CFD7 650V CoolMOS ™ CFD2 是英飞凌第二代市场领先的高压 CoolMOS ™ MOSFET，带有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品，能效更高。与竞争对手的器件相比，更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。

特性

  • 集成快速体二极管的 650V 技术
  • 硬换向期间的电压过冲有限
  • 与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低
  • 更严格的 RDS(on) 最大值至 RDS(on) 典型值窗口
  • 易于设计
  • 与 600V CFD 技术相比，价格更低

产品优势

  • 由于体二极管重复换向时 Qrr 较低，因此开关损耗较低
  • 自限制 di/dt 和 dv/dt
  • 低 Qoss
  • 缩短了导通和关断延迟时间
  • 卓越的 CoolMOS ™品质

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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