IPDD60R190G7
在产
符合RoHS标准
无铅

IPDD60R190G7

双 DPAK（DDPAK）创新顶部冷却 SMD 解决方案，适用于高功率应用
数据手册
封装

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IPDD60R190G7
IPDD60R190G7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    13 A
  • 最高 ID
    13 A
  • 最高 IDpuls
    36 A
  • 最高 Ptot
    76 W
  • Qgd
    7 nC
  • QG
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    190 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    190 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.65 K/W
  • Special Features
    Highest performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    10 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.98

推荐的
OPN
IPDD60R190G7XTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-10
封装名 D-DPAK
封装尺寸 1700
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-10
封装名 D-DPAK
封装尺寸 1700
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE
英飞凌科技推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却的表面贴装器件 (SMD) 封装，适用于 PC 电源、太阳能、服务器和电信等高功率 SMPS 应用。现有的高压技术 600V CoolMOS ™ G7 超结 (SJ) MOSFET 的优势与顶部冷却的创新概念相结合，为 PFC 等大电流硬开关拓扑提供系统解决方案，并为 LLC 拓扑提供高端效率解决方案。

特性

  • 最佳 FOM R DS(on) x E oss、R DS(on) x Q G
  • 创新的顶部冷却概念
  • 内置开尔文源极引脚
  • 低寄生源极电感 (~1nH)
  • 高 TCOB 能力、MSL1、无铅

产品优势

  • 实现最高能效
  • 电路板和 MOSFET 热解耦
  • 降低寄生源电感
  • 提高效率和易用性
  • 实现更高功率密度的解决方案
  • 超越最高质量标准
文档

设计资源

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