IPDQ60R037CM8
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPDQ60R037CM8

IPDQ60R037CM8 - 600 V CoolMOS ™ 8 功率晶体管
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPDQ60R037CM8
IPDQ60R037CM8
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    58 A
  • 最高 IDpuls
    230 A
  • QG
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    37 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    37 mΩ
  • Special Features
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.7 V 至 4.7 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    3.25

推荐的
OPN
IPDQ60R037CM8XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
600 V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS ™ 7 MOSFET 系列（包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7）的后续产品。它的栅极电荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%，关断损耗 (Eoss) 比 CFD7 进一步降低了 12%，反向恢复电荷 (Qrr) 与 CFD7 相比降低了 3%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 一流的 RDS(on)*A
  • 大幅减少损失
  • 出色的换向坚固性
  • 集成快速体二极管
  • .XT 互连
  • ESD 保护
  • 顶部冷却 QDPAK 封装
  • 2000 周期 TCoB

产品优势

  • 提高功率密度
  • 易于使用且设计快速
  • 低振铃趋势
  • 简化热管理
  • 简化投资组合
  • SMT 兼容
  • 降低装配成本
  • 减少杂散电感
  • 减少空间

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区