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符合RoHS标准
无铅

IPDQ60R055CFD7

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPDQ60R055CFD7
IPDQ60R055CFD7
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    44 A
  • IDpuls max
    129 A
  • Ptot max
    266 W
  • QG
    67 nC
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) max
    55 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    55 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    Q-DPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    2.85
受到推崇的
OPN
IPDQ60R055CFD7XTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V CoolMOS ™ CFD7 是英飞凌最新的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，完善了 CoolMOS ™ 7 系列。CoolMOS ™ CFD7 具有更低的栅极电荷 (Qg)、更好的关断行为和与竞争产品相比高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr)，以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on)x Qg 和 Eoss
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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