IPDQ60R055CFD7
在产
符合RoHS标准
无铅

IPDQ60R055CFD7

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
数据手册
封装

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IPDQ60R055CFD7
IPDQ60R055CFD7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    44 A
  • 最高 IDpuls
    129 A
  • 最高 Ptot
    266 W
  • QG
    67 nC
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    55 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    55 mΩ
  • Special Features
    Fast recovery diode
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.89

推荐的
OPN
IPDQ60R055CFD7XTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V CoolMOS ™ CFD7 是英飞凌最新的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，完善了 CoolMOS ™ 7 系列。CoolMOS ™ CFD7 具有更低的栅极电荷 (Qg)、更好的关断行为和与竞争产品相比高达 69% 的反向恢复电荷 (Qrr)，以及市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on)x Qg 和 Eoss
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区