IPDQ65R018CM8
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IPDQ65R018CM8

650 V CoolMOS ™ 8 功率晶体管

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IPDQ65R018CM8
IPDQ65R018CM8
  • 最高 ID (@25°C)
    127 A
  • 最高 IDpuls
    505 A
  • QG (typ @10V)
    173 nC
  • QG
    173 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    18 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
OPN
IPDQ65R018CM8XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650 V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET 系列是 650 V CoolMOS ™ 7 MOSFET 系列(包括 C7 和 CFD7)的后续产品。 与其前代产品相比,它的效率更高。650 V CoolMOS ™ 8 提供额外的 50 V 缓冲器,以满足更高功率应用的需求。除了这些优点之外,它还包括整个产品组合中的快速体二极管。

特性

  • 一流的 RDS(on)*A
  • 集成快速体二极管
  • .XT 互连
  • 顶部冷却 Q-DPAK 封装
  • 12000 周期 TCoB
  • 最大限度地降低维护成本

产品优势

  • 提高功率密度
  • 易于使用且设计快速
  • 简化投资组合
  • 降低装配成本
  • 减少空间
  • SMT 兼容

应用

文档

设计资源

开发者社区

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