不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPG20N04S4-09A

40 V、N 通道、最大 9.0 mΩ、汽车 MOSFET、双 SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -T2
数据手册
封装

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IPG20N04S4-09A
IPG20N04S4-09A
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG (typ @10V)
    21.7 nC
  • QG (typ @10V) max
    28 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.6 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    Dual SSO8 (PG-TDSON-8)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-T2
  • 推出年份
    2014
  • 极性
    N+N
  • 目前计划的可用性至少到
    2030
  • 认证标准
    Automotive
OPN
IPG20N04S409AATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款双 SSO8 MOSFET 可以替代两个 DPAK，从而显著节省 PCB 面积并降低系统级成本。键合线为200um，电流能力为20A。该产品符合 AEC Q101 标准。

特性

  • 双N沟道-正常电平-增强
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 用于引线键合的大型源引线
  • 性能与 DPAK 相同，芯片尺寸相同
  • 用于热传递的裸露焊盘
  • 2 个 N 沟道 MOSFET；隔离引线框架

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }