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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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IPN70R2K1CE
商品详情
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QG7.8 nC
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RDS (on) (@10V) max2100 mΩ
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MountingSMT
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Pin Count3 Pins
-
PolarityN
-
Special Featuresprice/performance
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Budgetary Price €/1k0.18
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OPN
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|---|
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| 英飞凌封装名称 |
| 封装名 |
| 包装尺寸 |
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| 湿度 |
| 防潮包装 |
| 无铅 |
| 无卤素 |
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CoolMOS™ CE是英飞凌市场领先的高压功率 MOSFET 的一个技术平台，根据超结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的要求。 随着系列的扩展，英飞凌现推出500 V、600 V、650 V、700 V 和 800 V器件，适用于移动设备和电动工具、液晶显示器、LED电视、和LED照明应用的低功率充电器。
特性
- 热行为
- 设备上≤ 90°C，打开外壳
- ≤ 50°C/70°C 关闭外壳温度
- EMI 符合 EN55022B 标准
- 易于使用且设计快速
产品优势
- 由于 R DS(on) 的典型值与标称值之间存在较大的裕度，因此传导损耗较低
- 由于优化了输出电容 (E oss)，因此开关损耗较低
- 优化了 EMI，以平衡开关速度和 EMI 行为
- 由于集成了 R g