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已停产
符合RoHS标准

IPN70R900P7S

停产
兼具卓越性能和易用性
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封装
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IPN70R900P7S
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数据手册

商品详情

  • ID max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    6 A
  • IDpuls max
    12.8 A
  • Ptot max
    6.5 W
  • Qgd
    2.6 nC
  • QG
    6.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    900 mΩ
  • RDS (on) max
    900 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SOT-223-3
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.17
OPN
IPN70R900P7SATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
700 V CoolMOS™ P7 N 沟道超结 (SJ) MOSFET 系列专为满足当今，尤其是未来的反激拓扑趋势而开发。该技术适用于低功耗 SMPS 市场，主要侧重于手机充电器和笔记本电脑适配器，但同样适用于照明应用、家庭娱乐（电视、游戏机或音频）中使用的电源，以及辅助电源。

特性

  • 降低 MOSFET 芯片温度
  • 与之前的技术相比，效率更高
  • 可实现更佳的外形尺寸和纤薄的设计
  • 以极具竞争力的成本直接替代 DPAK
  • 在低功耗设计中节省空间；实现更小的外形尺寸
  • 热性能与 DPAK 相当
  • 高性能技术，价格极具吸引力

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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