IPP027N08N5
在产
符合RoHS标准

IPP027N08N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V，适用于电信应用
数据手册
封装

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IPP027N08N5
IPP027N08N5
数据手册

商品详情

  • Ciss
    6900 pF
  • Coss
    1100 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    120 A
  • 最高 IDpuls
    480 A
  • 最高 Ptot
    214 W
  • QG (typ @10V)
    99 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.7 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.38
推荐的
OPN
IPP027N08N5AKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 80 V 功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该设备还可应用于其他工业领域，如太阳能、低压驱动器和适配器。OptiMOS ™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，提供业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS ™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了高达 43%。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比，Rds(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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