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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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IPP086N10N3 G
商品详情
-
Ciss2990 pF
-
Coss523 pF
-
最高 ID (@25°C)80 A
-
最高 IDpuls320 A
-
最高 Ptot125 W
-
QG (typ @10V)42 nC
-
最高 RDS (on) (@10V)8.6 mΩ
-
Rth1.2 K/W
-
最高 VDS100 V
-
VGS(th) 范围2 V 至 3.5 V
-
VGS(th)2.7 V
-
封装TO-220
-
工作温度 范围-55 °C 至 175 °C
-
极性N
-
预算价格€/1k0.64
| 推荐的 | |
|
OPN
|
IPP086N10N3GXKSA1 |
| 产品状态 | active |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO220 |
| 封装尺寸 | 500 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | Yes |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | Yes |
|
|
|
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO220 |
| 封装尺寸 | 500 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。
特性
- 卓越的开关性能
- 全球最低的 R DS(on)
- 低 Q g 和 Q gd
- 卓越的栅极电荷
- 符合 RoHS 标准 - 无卤素
- MSL1 级
产品优势
- 环保
- 提高效率
- 最高功率密度
- 所需并联更少
- 最小的电路板空间消耗
- 易于设计的产品
应用
文档