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符合RoHS标准
无铅

IPP65R041CFD7

集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPP65R041CFD7
IPP65R041CFD7
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    50 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • IDpuls max
    211 A
  • Ptot max
    227 W
  • QG
    102 nC
  • QG (typ @10V)
    102 nC
  • RDS (on) max
    41 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    41 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    3.37
受到推崇的
OPN
IPP65R041CFD7XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R041CFD7 采用 TO-220 封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。

特性

  • 超快体二极管和极低的 Qrr
  • 650V 击穿电压
  • 与竞争产品相比，开关损耗显著降低
  • 最低的 RDS(on) 温度依赖性

产品优势

  • 卓越的硬换向坚固性
  • 为总线电压增加的设计提供额外的安全裕度
  • 提高功率密度
  • 在工业SMPS应用中具有出色的轻载效率
  • 在工业SMPS应用中提高满载效率
  • 与市场上的替代产品相比具有价格竞争力

文档

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