IPP65R190CFD7A
现货，推荐
符合RoHS标准

IPP65R190CFD7A

650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A
数据手册
封装

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IPP65R190CFD7A
IPP65R190CFD7A
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • 最高 ID
    14 A
  • 最高 IDpuls
    55 A
  • 最高 Ptot
    77 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    28 nC
  • QG
    28 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    190 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    158 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 技术
    CoolMOS™ CFD7A
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Highest cosmic radiation robustness
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IPP65R190CFD7AAKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-220 封装的 190mOhm IPP65R190CFD7A 属于汽车级 650V CoolMOS ™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 产品系列的一部分。与上一代产品相比，CoolMOS ™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时提高了设计灵活性。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 汽车认证
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }