IPP80N08S2L-07

75V、N沟道、最大7.1mΩ、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™
数据手册

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IPP80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V) max
    183 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.1 mΩ
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th) min
    1.2 V
  • VGS(th) max
    2 V
  • 封装
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    1.81
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • N沟道逻辑电平 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（无铅）
  • 超低导通电阻
  • 100% Avalanche 测试

产品优势

  • 采用平面技术，在 75V（开启）时具有全球最低的 RDS
  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导功率损耗，实现最高的热效率
  • 坚固耐用的封装，品质卓越，可靠性高
  • 优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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