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符合RoHS标准

IPT030N12N3 G

OptiMOS ™功率 MOSFET 120V，采用 TOLL 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPT030N12N3 G
IPT030N12N3 G
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    237 A
  • ID (@25°C) max
    237 A
  • IDpuls max
    948 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • RDS (on) max
    3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLL (HSOF-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Battery voltage
    48-72 V
  • Budgetary Price €/1k
    2.4
受到推崇的
OPN
IPT030N12N3GATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IPT030N12N3 G 非常适合电池供电设备，在额外的电压击穿裕度和低导通电阻 (RDS(on)) 之间实现了最佳平衡。英飞凌的 OptiMOS ™功率 MOSFET 120V 技术符合 TO-Leadless 封装，针对大电流应用进行了优化。TOLL 封装是高功率密度应用的完美解决方案，与 D2PAK 7 引脚相比，其占用空间缩小 30%，且封装电感更低。

特性

  • 紧凑型封装，低导通电阻 DS(on)
  • <比 D2PAK 7 引脚小 60%
  • 非常适合 72V 电池供电设备

产品优势

  • 高功率密度，改善散热
  • 所需电路板空间更小
  • 高效率，减少并联

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