IPT034N15NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

IPT034N15NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平，采用 TOLL 封装
数据手册
封装

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IPT034N15NM6
IPT034N15NM6
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    194 A
  • QG (typ @10V)
    69 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.4 mΩ
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
IPT034N15NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
IPT034N15NM6 OptiMOS ™ 6 150 V 的正常水平在竞争激烈的 150 V 市场中树立了新的性能水平。 OptiMOS ™ 6 150 V 技术旨在满足硬开关和软开关中高和低开关频率应用的要求。

特性

  • 极低的 RDS(on)
  • FOMg 比 OptiMOS ™ 5 低 20%
  • 150 V 下业界最低的 Qrr
  • 与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善
  • Vgs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内
  • 高雪崩强度
  • 高额定电流
  • 最大 Tj 为 175°C 和 MSL1

产品优势

  • 低传导和开关损耗
  • 运行稳定，EMI 得到改善
  • 并联时实现更好的电流共享
  • 卓越的功率处理能力
  • 增强稳健性
  • 提高系统可靠性
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