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符合RoHS标准

IPTG111N20NM3FD

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OptiMOS ™ 3 功率 MOSFET 采用 TOLG 封装，可实现更高的板载热循环性能
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封装

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IPTG111N20NM3FD
IPTG111N20NM3FD
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    108 A
  • IDpuls max
    432 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.1 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLG (HSOG-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Battery voltage
    96-140 V
  • Budgetary Price €/1k
    3.13
OPN
IPTG111N20NM3FDATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 3 功率 MOSFET 200 V IPTG111N20NM3FD 采用改进的 TO 引线封装，带有鸥翼形引线。TOLG 的封装尺寸与 TO-Leadless 兼容，与 D2PAK 7 引脚相比，其电气性能出色，电路板空间减少约 60%，RDS(on) 非常低，并且针对处理大电流进行了优化。

特性

  • 一流的技术
  • 高额定电流 >300 A
  • 低振铃和电压过冲
  • 减少 60% 的电路板空间
  • 鸥翼形引线

产品优势

  • 高性能
  • 高系统可靠性
  • 高效率和低 EMI
  • 优化电路板利用率
  • 高热循环电路板处理

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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