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符合RoHS标准
无铅

IPW60R037CSFD

专用于电动汽车充电应用的高压 CoolMOS ™超结 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPW60R037CSFD
IPW60R037CSFD
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    25 A
  • ID (@25°C) max
    25 A
  • IDpuls max
    236 A
  • Ptot max
    245 W
  • QG (typ @10V)
    136 nC
  • QG
    136 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    31 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    4.07
推荐的
OPN
IPW60R037CSFDXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET 系列的新一代产品，与竞争产品相比，具有更低的栅极电荷 (Qg)、更佳的关断性能，反向恢复电荷（Qrr）降低至 69%，以及市场上最短的反向恢复时间（trr）。

特性

  • 超快体二极管
  • 同类最佳的反向恢复电荷
  • 改进的反向二极管
  • 最低的 FOM R DS(on) x Q G 和 E oss
  • 最佳的 R DS(on)/封装组合

产品优势

  • 最适合电动汽车充电应用
  • 实现更高的功率密度
  • 最高的可靠性水平

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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