IPZA65R018CFD7
在产
符合RoHS标准
无铅

IPZA65R018CFD7

650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET，集成快速体二极管，采用 TO-247 4 引脚封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPZA65R018CFD7
IPZA65R018CFD7
数据手册


商品详情

  • 最高 ID
    106 A
  • 最高 ID (@25°C)
    106 A
  • 最高 IDpuls
    495 A
  • 最高 Ptot
    446 W
  • QG
    234 nC
  • QG (typ @10V)
    234 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    18 mΩ
  • Special Features
    Fast recovery diode
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    9.31

推荐的
OPN
IPZA65R018CFD7XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPZA65R018CFD7 采用 TO-247 4 引脚封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关的高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET适合硬拓扑和谐振拓扑
  • 开尔文源
  • 开尔文源
  • 爬电距离增加
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区