IPZA65R018CFD7
在产
符合RoHS标准
无铅

IPZA65R018CFD7

650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET，集成快速体二极管，采用 TO-247 4 引脚封装
数据手册
封装

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IPZA65R018CFD7
IPZA65R018CFD7
数据手册
  • 最高 ID
    106 A
  • 最高 ID (@25°C)
    106 A
  • 最高 IDpuls
    495 A
  • 最高 Ptot
    446 W
  • QG
    234 nC
  • QG (typ @10V)
    234 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    18 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fast recovery diode
  • 预算价格€/1k
    9.31
推荐的
OPN
IPZA65R018CFD7XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPZA65R018CFD7 采用 TO-247 4 引脚封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关的高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET适合硬拓扑和谐振拓扑
  • 开尔文源
  • 开尔文源
  • 爬电距离增加
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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