现货，推荐
符合RoHS标准

IQE006NE2LM5CG

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 25V，PQFN 3.3x3.3源极向下中心栅极封装，具有行业领先的 RDS(on)
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQE006NE2LM5CG
IQE006NE2LM5CG
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    4100 pF
  • Coss
    1700 pF
  • ID (@25°C) max
    298 A
  • IDpuls max
    1192 A
  • Ptot max
    89 W
  • QG (typ @4.5V)
    28.5 nC
  • QG (typ @10V)
    61.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.65 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.8 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Rth
    1.4 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2 V
  • VGS max
    16 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Center-Gate
  • Budgetary Price €/1k
    0.66
受到推崇的
OPN
IQE006NE2LM5CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE006NE2LM5CG OptiMOS ™低压功率 MOSFET Source-Down 提供 Center-Gate 封装版本。将栅极放置在封装的中间可以实现优化的源极连接。中心栅极占位面积具有优化和易于并联 MOSFET 的优势，因为它具有更大的漏极到源极爬电距离，从而提高了电流能力，从而实现了更高的输出水平。

特性

  • RDS(on) 降低高达 30%
  • 卓越的热管理选项
  • 优化的布局可能性
  • 两种尺寸版本可供选择

产品优势

  • 更高的电流能力
  • 最高的功率密度和性能
  • 缩小尺寸
  • 更小封装中的SuperSO8性能
  • 优化PCB寄生参数
  • 降低RthJA和RthJC
  • 更好的功率损耗传输
  • 双面冷却
  • 现有PCB的源极向下
  • 中心栅极优化并行化

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }