现货，推荐
符合RoHS标准

IQE013N04LM6

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 40V，PQFN 3.3x3.3具有行业领先 RDS(on) 的 Source-Down 封装
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IQE013N04LM6
IQE013N04LM6
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    205 A
  • IDpuls max
    820 A
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.75
受到推崇的
OPN
IQE013N04LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE013N04LM6 最佳功率 MOSFET 源极向下，1.35mOhm，40 V，3.3x3.3PQFN封装，最大限度地减少了PCB面积要求的内部限制，使电动工具设计更加符合人体工程学。将逆变器从手柄移到头部可以最大限度地减少电动工具电机外壳的体积，同时将工具的扭矩保持在合理的高水平，以便快速轻松地操作。

特性

  • RDS(on) – 高达 25%
  • RthJC 的卓越热性能
  • 优化的布局可能性
  • 标准和中心栅极占位面积

产品优势

  • 高电流能力
  • 更有效地利用 PCB 面积
  • 最高的功率密度和性能
  • 用于 MOSFET 并联的中心栅极

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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