现货,推荐
符合RoHS标准

IQE013N04LM6CGSC

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 40 V,PQFN 3.3x3.3源极向下 DSC 封装具有行业领先的 RDS(on) 和卓越的热性能

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQE013N04LM6CGSC
IQE013N04LM6CGSC

商品详情

  • ID (@25°C) max
    205 A
  • ID max
    205 A
  • IDpuls max
    820 A
  • Ptot max
    107 W
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Center-Gate Dual-Side Cooling
  • Budgetary Price €/1k
    0.86
OPN
IQE013N04LM6CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 40V PQFN 3.3x3.3源极朝下:提供翻转的硅片,该硅片在组件内部倒置放置。这种调整允许源极电位(而不是漏极电位)通过导热垫连接到 PCB。因此,它具有多种优势,例如增强的热能力、提高的功率密度或改善的布局可能性。

特性

  • RDS(on)大幅降低30%
  • 与当前PQFN相比,RthJC降低
  • 提供标准栅极和中心栅极
  • 全新、优化的布局可能性

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }