IQE013N04LM6SC
现货，推荐
符合RoHS标准

IQE013N04LM6SC

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 40 V，PQFN 3.3x3.3源极向下 DSC 封装具有行业领先的 RDS(on) 和卓越的热性能
数据手册
封装

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IQE013N04LM6SC
IQE013N04LM6SC
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    205 A
  • 最高 ID
    205 A
  • 最高 IDpuls
    820 A
  • 最高 Ptot
    107 W
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.9 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.35 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Dual-Side Cooling
  • 预算价格€/1k
    0.81
推荐的
OPN
IQE013N04LM6SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 6000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 6000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 40V PQFN 3.3x3.3源极朝下：提供翻转的硅片，该硅片在组件内部倒置放置。这种调整允许源极电位（而不是漏极电位）通过导热垫连接到 PCB。因此，它具有多种优势，例如增强的热能力、提高的功率密度或改善的布局可能性。

特性

  • RDS(on)大幅降低 30%
  • 与现有 PQFN 相比，RthJC降低
  • 提供标准栅极和中心栅极
  • 全新、优化的布局可能性

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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