现货，推荐
符合RoHS标准

IQE046N08LM5CGSC

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80 V 逻辑电平 PQFN 3.3x3.3源极-下部中心-栅极 DSC 封装
数据手册
封装

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IQE046N08LM5CGSC
IQE046N08LM5CGSC
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    99 A
  • 最高 IDpuls
    396 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.6 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    5.9 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Center-Gate Dual-Side Cooling
  • 预算价格€/1k
    1.28
推荐的
OPN
IQE046N08LM5CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IQE046N08LM5CGSC 是英飞凌最新推出的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80 V 逻辑电平，采用 PQFN 3.3x3.3源极朝下中心栅极 (CG) 双面冷却 (DSC) 封装，提供业界最低的 25˚C 时导通电阻 RDS(on) 、卓越的热性能和优化的并行化。OptiMOS ™ Source-Down 是一种革命性的设计，其内部采用翻转硅片，具有多种优势，例如增强的热性能、提高的功率密度和改进的布局可能性。IQE046N08LM5CGSC 结合创新的双面冷却封装，可耗散比传统包覆成型封装高达三倍的功率，适用于电信和数据服务器中常见的高功率密度和高性能 SMPS 产品

特性

  • 逻辑级别允许更低的 Qrr 和 QOSS
  • 与当前 PQFN 相比，RDS(on) 降低了高达 30%
  • 改进了 RthJC
  • 全新、优化的布局可能性
  • 针对并联进行了优化的中心栅极

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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